Fabricante: ST Microelectronics
Características:
- Transistor Bipolar (BJT) NPN
- Dispositivo diseñado para circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y paralelo, etapas de salida y amplificadores de audio
- IC: 15 A max.
- IB: 7 A max.
- PD: 115 W max.
- VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, max.
- fT: 3 MHz mínimo
- Complementario PNP: MJ2955
- Encapsulado: TO-3 de 2 pines
- Producto genuino