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El 2SC828 es un transistor planar basado en silicio NPN que se utiliza en la amplificación AF. Ofrece una gran estabilidad en la operación de conmutación de frecuencia media. El 2SC828 está disponible en tres variantes dependiendo de los diferentes niveles de h FE . Las variantes son Q, R y S. Los niveles de h FE son 130-260, 180-360 y 260-520 (mín-máx) respectivamente.
Características y especificaciones del transistor 2SC828
- Tipo: NPN
- Segmento: Amplificación y conmutación basadas en AF
- Voltaje colector a emisor (V CEO )= 25V
- Voltaje Colector a Base (V CBO )= 30V
- Voltaje Emisor a Base (V EBO )= 7V
- Corriente de Colector (I C )= 50mA
- Min h FE = 130 para la variante Q, 180 para la variante R y 260 para la variante S (I C = 2,0 mAdc, V CE = 5 Vdc)
- Max h FE = 260 para las variantes Q, 360 para la variante R y 520 para la variante S (I C = 2,0 mA CC, V CE = 5 V CC)
- Producto de ancho de banda de ganancia de corriente = 220Mhz (Typ) (I C = 2mAdc, V CE = 10Vdc)
